Číslo produktu výrobce:
SI7456DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI7456DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
12918599
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI7456DP-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SI7456
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI7456DPT1GE3
SI7456DP-T1-GE3CT
SI7456DP-T1-GE3TR
SI7456DP-T1-GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDMS86105
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
23647
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDMS86105-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.73
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
SIHH14N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SI8489EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
