Číslo produktu výrobce:
SI7501DN-T1-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI7501DN-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventář:
12918051
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI7501DN-T1-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel, Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.4A, 4.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 7.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Výkon - Max
1.6W
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® 1212-8 Dual
Základní číslo výrobku
SI7501
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI7501DN-T1-E3TR
SI7501DNT1E3
SI7501DN-T1-E3CT
SI7501DN-T1-E3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SQJQ980EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
SI4816DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC