Číslo produktu výrobce:
SI8404DB-T1-E1
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI8404DB-T1-E1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Podrobný popis:
N-Channel 8 V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventář:
12915406
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI8404DB-T1-E1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
8 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
31mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
VGS (Max)
±5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 4 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-Microfoot
Balení / pouzdro
4-XFBGA, CSPBGA
Základní číslo výrobku
SI8404
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SI8404DBT1E1
SI8404DB-T1-E1CT
SI8404DB-T1-E1TR
SI8404DB-T1-E1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR9010TRR
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
SI7742DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI7196DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8