Číslo produktu výrobce:
SI8405DB-T1-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SI8405DB-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventář:
12914788
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SI8405DB-T1-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
55mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.47W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
4-Microfoot
Balení / pouzdro
4-XFBGA, CSPBGA
Základní číslo výrobku
SI8405
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI8425DB-T1-E1
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
900
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI8425DB-T1-E1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTM11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
IXTH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
IRFP350
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
