Číslo produktu výrobce:
SIA431DJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIA431DJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventář:
3531 Ks Nový Originál Skladem
12785971
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIA431DJ-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
850mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-70-6
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo výrobku
SIA431
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIA431DJ-T1-GE3TR
SIA431DJ-T1-GE3DKR
SIA431DJ-T1-GE3CT
SIA431DJT1GE3
SIA431DJ-T1-GE3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
SISS61DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
