Číslo produktu výrobce:
SIA914DJ-T1-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIA914DJ-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventář:
12918276
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
C19F
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIA914DJ-T1-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
53mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 10V
Výkon - Max
6.5W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Základní číslo výrobku
SIA914
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIA914DJT1E3
SIA914DJ-T1-E3DKR
SIA914DJ-T1-E3TR
SIA914DJ-T1-E3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4330DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
SI3588DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
SIA907EDJT-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
