Číslo produktu výrobce:
SIB441EDK-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIB441EDK-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventář:
2930 Ks Nový Originál Skladem
12917834
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIB441EDK-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25.5mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 6 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-75-6
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-75-6
Základní číslo výrobku
SIB441
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIB441EDK-T1-GE3CT
SIB441EDK-T1-GE3DKR
SIB441EDK-T1-GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SIHF22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHG22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
