Číslo produktu výrobce:
SIB800EDK-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIB800EDK-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.5A (Tc) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventář:
12919859
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIB800EDK-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±6V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-75-6
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-75-6
Základní číslo výrobku
SIB800
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIB800EDK-T1-GE3TR
SIB800EDK-T1-GE3CT
SIB800EDKT1GE3
SIB800EDK-T1-GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SIA810DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SIHFR9120-GE3
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
SIE802DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
