Číslo produktu výrobce:
SIHB24N80AE-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIHB24N80AE-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
584 Ks Nový Originál Skladem
12982520
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIHB24N80AE-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
21A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1836 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
SIHB24
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
742-SIHB24N80AE-GE3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MRH25N12U3
RH MOSFET _ U3
SIHG24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
AUIRF7732S2TR
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
