SIHFRC20TR-GE3
Číslo produktu výrobce:

SIHFRC20TR-GE3

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

SIHFRC20TR-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 600V
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventář:

1684 Ks Nový Originál Skladem
12999543
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
P9Gm
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SIHFRC20TR-GE3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.4Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
742-SIHFRC20TR-GE3TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRFRC20TRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5703
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFRC20TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.44
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IRFRC20TRLPBF-BE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4378
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFRC20TRLPBF-BE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.69
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IRFRC20TRPBF-BE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3970
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFRC20TRPBF-BE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.44
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SIHP12N50E-BE3

N-CHANNEL 500V

onsemi

NTH4L040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

goford-semiconductor

G7P03S

MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8

goford-semiconductor

GT025N06D5

MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L