Číslo produktu výrobce:
SIHG20N50C-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIHG20N50C-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventář:
6056 Ks Nový Originál Skladem
12917475
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIHG20N50C-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
270mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2942 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247AC
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SIHG20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
25
Další jména
SIHG20N50CE3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4178DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI4628DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38A 8SO
SI4384DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
