Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SIHP14N60E-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIHP14N60E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
Poptejte online
12918054
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
m
g
z
w
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIHP14N60E-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1205 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
147W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SIHP14
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
SIHP14N60E
Technické listy
SIHP14N60E-GE3
HTML Datový list
SIHP14N60E-GE3-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK14E65W5,S1X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
15
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK14E65W5,S1X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
SIHP14N60E-BE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
978
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHP14N60E-BE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.91
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
STP18N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1005
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP18N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.05
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCPF11N60F
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
998
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCPF11N60F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.54
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCP400N80Z
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
850
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP400N80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.50
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
SIHG33N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
SIA450DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK
SI5853DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8