Číslo produktu výrobce:
SIHP7N60E-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIHP7N60E-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
12915551
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIHP7N60E-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
78W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SIHP7
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR014TRR
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFU224
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
SI7114DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
