Číslo produktu výrobce:
SIJ450DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIJ450DP-T1-GE3-DG
Popis:
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Podrobný popis:
N-Channel 45 V 36A (Ta), 113A (Tc) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
12958712
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIJ450DP-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
45 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
36A (Ta), 113A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
VGS (Max)
+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5920 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
4.8W (Ta), 48W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
742-SIJ450DP-T1-GE3DKR
742-SIJ450DP-T1-GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPTC019N10NM5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
MCP20N70-BP
MOSFET N-CH
