Číslo produktu výrobce:
SIR462DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIR462DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
33148 Ks Nový Originál Skladem
12916752
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIR462DP-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1155 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SIR462
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIR462DP-T1-GE3DKR
SIR462DPT1GE3
SIR462DP-T1-GE3CT
SIR462DP-T1-GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4778DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
SI1307EDL-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
SIHA4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
