Číslo produktu výrobce:
SIR638ADP-T1-RE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SIR638ADP-T1-RE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
15142 Ks Nový Originál Skladem
12786757
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SIR638ADP-T1-RE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
VGS (Max)
+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SIR638
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIR638ADP-T1-RE3TR
SIR638ADP-T1-RE3DKR
SIR638ADP-T1-RE3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SQD40020E_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
SIHB180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8
