Číslo produktu výrobce:
SQJ211ELP-T1_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQJ211ELP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 33.6A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
496 Ks Nový Originál Skladem
12978051
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQJ211ELP-T1_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
33.6A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
68W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SQJ211
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
742-SQJ211ELP-T1_GE3CT
742-SQJ211ELP-T1_GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MCB200N06YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
STB15810
N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
IRFL210TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
