Číslo produktu výrobce:
SQJ244EP-T1_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQJ244EP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Inventář:
1 Ks Nový Originál Skladem
12920658
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQJ244EP-T1_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Výkon - Max
27W (Tc), 48W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Základní číslo výrobku
SQJ244
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SQJ244EP-T1_GE3CT
SQJ244EP-T1_GE3DKR
SQJ244EP-T1_GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
SI9933CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
