SQJ980AEP-T1_BE3
Číslo produktu výrobce:

SQJ980AEP-T1_BE3

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

SQJ980AEP-T1_BE3-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Podrobný popis:
Mosfet Array 75V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventář:

5978 Ks Nový Originál Skladem
12987705
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SQJ980AEP-T1_BE3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 35V
Výkon - Max
34W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8 Dual
Základní číslo výrobku
SQJ980

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
742-SQJ980AEP-T1_BE3DKR
742-SQJ980AEP-T1_BE3CT
742-SQJ980AEP-T1_BE3TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diotec-semiconductor

MMFTP6312D

MOSFET SOT26 P -20V 0.115OHM

diotec-semiconductor

DI003N03SQ2

MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C

goford-semiconductor

G05N06S2

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP