Číslo produktu výrobce:
SQJA02EP-T1_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQJA02EP-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventář:
2939 Ks Nový Originál Skladem
12786502
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQJA02EP-T1_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
68W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SO-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® SO-8
Základní číslo výrobku
SQJA02
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SQJA02EP-T1_GE3DKR
SQJA02EP-T1_GE3CT
SQJA02EP-T1_GE3TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SIR496DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SUD50N03-12P-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252