Číslo produktu výrobce:
SQM100N10-10_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQM100N10-10_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
217 Ks Nový Originál Skladem
12787524
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQM100N10-10_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8050 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
SQM100
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFA130N10T2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFA130N10T2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.41
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SIHA21N60EF-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHP21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
