SUD08P06-155L-BE3
Číslo produktu výrobce:

SUD08P06-155L-BE3

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

SUD08P06-155L-BE3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 8.2A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventář:

2099 Ks Nový Originál Skladem
12975951
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SUD08P06-155L-BE3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
155mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SUD08

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
742-SUD08P06-155L-BE3TR
742-SUD08P06-155L-BE3DKR
742-SUD08P06-155L-BE3CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TPCC8104,L1Q(CM

MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

sanyo

CPH6413-TLD-E

MOSFET N-CH

onsemi

9G85-BSS138

MOSFET N-CH SOT23

alpha-and-omega-semiconductor

AO3434LS

MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23-3