Číslo produktu výrobce:
SUD08P06-155L-GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SUD08P06-155L-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventář:
18214 Ks Nový Originál Skladem
12953890
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SUD08P06-155L-GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
155mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SUD08
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
SUD08P06-155L-GE3DKR
SUD08P06-155L-GE3CT
SUD08P06-155L-GE3TR
SUD08P06-155L-GE3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SQ4153EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
ZVN2106ASTOA
MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
