SUD35N10-26P-GE3
Číslo produktu výrobce:

SUD35N10-26P-GE3

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

SUD35N10-26P-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventář:

1990 Ks Nový Originál Skladem
12966513
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SUD35N10-26P-GE3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
7V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
26mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SUD35

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
SUD35N10-26P

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
SUD35N10-26P-GE3TR
SUD35N10-26P-GE3DKR
SUD35N10-26P-GE3CT
SUD35N1026PGE3

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
SUD35N10-26P-BE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1835
DiGi ČÍSLO DÍLU
SUD35N10-26P-BE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.82
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
SUD35N10-26P-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
310
DiGi ČÍSLO DÍLU
SUD35N10-26P-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.81
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
FDD86102
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9890
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDD86102-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
littelfuse

IXTQ48N65X2M

DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P

littelfuse

IXTH2N150

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

diodes

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10