SUD50P06-15L-E3
Číslo produktu výrobce:

SUD50P06-15L-E3

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

SUD50P06-15L-E3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventář:

38575 Ks Nový Originál Skladem
12786849
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SUD50P06-15L-E3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
15mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4950 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SUD50

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
SUD50P06-15L-E3CT
SUD50P06-15L-E3-DG
SUD50P0615LE3
SUD50P06-15L-E3DKR
SUD50P06-15L-E3TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET N-CH 40V 90A TO263

vishay-siliconix

SIHG21N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

vishay-siliconix

SQS840EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIR872ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8