Číslo produktu výrobce:
SUD50P10-43-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SUD50P10-43-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12787003
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SUD50P10-43-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
38A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
43mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5230 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota
-50°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SUD50
Další informace
Standardní balíček
2,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SUD50P10-43L-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4019
DiGi ČÍSLO DÍLU
SUD50P10-43L-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.02
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SIHFB20N50K-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
SIHP21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
