SUM110P04-05-E3
Číslo produktu výrobce:

SUM110P04-05-E3

Product Overview

Výrobce:

Vishay Siliconix

Číslo dílu:

SUM110P04-05-E3-DG

Popis:

MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 110A (Tc) 15W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

46039 Ks Nový Originál Skladem
12920766
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SUM110P04-05-E3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
110A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
280 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
15W (Ta), 375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
SUM110

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
SUM110P04-05-E3TR
SUM110P04-05-E3-DG
SUM110P04-05-E3DKR
SUM110P0405E3
SUM110P04-05-E3CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

vishay-siliconix

SUP50N10-21P-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

vishay-siliconix

SIR164ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK

vishay-siliconix

SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK