Číslo produktu výrobce:
SUP85N10-10-E3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SUP85N10-10-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventář:
384 Ks Nový Originál Skladem
12916792
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SUP85N10-10-E3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tube
Řada
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
85A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6550 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SUP85
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SUP85N10-10-E3TR
SUP85N10-10-E3TR-DG
SUP85N10-10-E3TRINACTIVE
SUP85N10-10-E3CT-DG
SUP85N10-10-E3CT
SUP85N1010E3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SIS429DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
SIR840DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
