Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRFR010TR
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
IRFR010TR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 50 V 8.2A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
Poptejte online
13049607
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFR010TR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
-
Řada
-
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
50 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
25W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IRFR010
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IRFR010, SiHFR010
Další informace
Standardní balíček
2,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFR010TRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR010TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.49
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IRFR010TRLPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR010TRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.49
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFBF30S
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRF830AL
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
2N6661JTXP02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK