Číslo produktu výrobce:
SQA470EEJ-T1_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQA470EEJ-T1_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 2.25A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventář:
5350 Ks Nový Originál Skladem
13060824
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQA470EEJ-T1_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.25A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
453 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
13.6W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® SC-70-6
Balení / pouzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo výrobku
SQA470
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SQA470EEJ-T1_GE3TR
SQA470EEJ-T1_GE3DKR
SQA470EEJ-T1_GE3CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SUP70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
SQ3418EEV-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP