Číslo produktu výrobce:
SQD50034E_GE3
Product Overview
Výrobce:
Vishay Siliconix
Číslo dílu:
SQD50034E_GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
3301 Ks Nový Originál Skladem
13060548
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SQD50034E_GE3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Vishay
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchFET®
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SQD50034
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
SQD50034E_GE3CT
SQD50034E_GE3TR
SQD50034E_GE3DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SQJ174EP-T1_GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14945
DiGi ČÍSLO DÍLU
SQJ174EP-T1_GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.70
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4812BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
