Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
AOT10N60L
Product Overview
Výrobce:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo dílu:
AOT10N60L-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
Poptejte online
12843951
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
v
0
W
B
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
AOT10N60L Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
AOT10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
AOT(F)10N60
Technické listy
AOT10N60L
HTML Datový list
AOT10N60L-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFB9N60APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2220
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB9N60APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.22
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP4N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
232
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP4N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.12
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXFP10N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
70
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP10N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.73
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP9N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
20
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP9N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.54
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCP850N80Z
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
766
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP850N80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.13
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS5C404NAFT3G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
AOD210
MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO252
NDS351AN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
NTB30N06T4G
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK