Číslo produktu výrobce:
BS170P
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
BS170P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventář:
12883022
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BS170P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
625mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-92
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základní číslo výrobku
BS170
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
BS170P-NDR
Q2995972
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
VN10KN3-G-P002
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2970
DiGi ČÍSLO DÍLU
VN10KN3-G-P002-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.50
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
VN0808L-G
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
579
DiGi ČÍSLO DÍLU
VN0808L-G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.03
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP4025SFG-7
MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
DMP1022UFDE-7
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
DMN90H8D5HCTI
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB