BSS127SSN-7
Číslo produktu výrobce:

BSS127SSN-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

BSS127SSN-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 50mA (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

6785 Ks Nový Originál Skladem
12946666
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

BSS127SSN-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
160Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.08 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21.8 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
610mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
BSS127

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
BSS127SSN-7DITR
BSS127SSN-7DICT
BSS127SSN-7DIDKR
BSS127SSN7

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1