Číslo produktu výrobce:
BSS8402DWQ-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
BSS8402DWQ-7-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventář:
8006 Ks Nový Originál Skladem
12901938
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSS8402DWQ-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V, 50V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
115mA, 130mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Výkon - Max
200mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
BSS8402
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
Q8604571
31-BSS8402DWQ-7CT
BSS8402DWQ-7-DG
31-BSS8402DWQ-7TR
31-BSS8402DWQ-7DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
ZXMHN6A07T8TA
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
DMNH6042SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO
