Číslo produktu výrobce:
DMG3N60SCT
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMG3N60SCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventář:
12888518
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMG3N60SCT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
354 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220AB (Type TH)
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMG3N60
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP4NK80Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP4NK80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP3N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
841
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP3N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.59
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTP4N80P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP4N80P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP3017SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
DMT69M8LFV-7
MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
BSS138K-7
MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K
