Číslo produktu výrobce:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMJ70H1D3SH3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Inventář:
12949687
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMJ70H1D3SH3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
700 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
351 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
41W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-251 (Type TH3)
Balení / pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základní číslo výrobku
DMJ70
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPS70R1K4P7SAKMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.18
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPS80R600P7AKMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPS80R600P7AKMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.69
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060