Číslo produktu výrobce:
DMN2008LFU-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2008LFU-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Inventář:
5679 Ks Nový Originál Skladem
12888766
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2008LFU-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250A
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1418pF @ 10V
Výkon - Max
1W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-UFDFN Exposed Pad
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2030-6 (Type B)
Základní číslo výrobku
DMN2008
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2008LFU-7DIDKR
DMN2008LFU-7DITR
DMN2008LFU-7DICT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT3020LFDB-13
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
DMN2400UV-7
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
DMNH6035SPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
