Číslo produktu výrobce:
DMN2013UFDEQ-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2013UFDEQ-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventář:
12986986
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2013UFDEQ-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2453 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
660mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
U-DFN2020-6 (Type E)
Balení / pouzdro
6-PowerUDFN
Základní číslo výrobku
DMN2013
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMN2013UFDEQ-7TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN2013UFDE-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3000
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2013UFDE-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK9Y7R0-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
PJW4P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMN3061LCA3-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
