DMN2310UT-13
Číslo produktu výrobce:

DMN2310UT-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN2310UT-13-DG

Popis:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventář:

Poptejte online
13000516
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN2310UT-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
38 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
290mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-523
Balení / pouzdro
SOT-523
Základní číslo výrobku
DMN2310

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
DMN2310UT

Další informace

Standardní balíček
10,000
Další jména
31-DMN2310UT-13TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
DMN2310UTQ-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2963
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2310UTQ-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
diodes

DMTH8008SFG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

infineon-technologies

IPDQ60R025CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

infineon-technologies

IPDQ60R015CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

diodes

DMP26M1UFG-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333