Číslo produktu výrobce:
DMN2310UTQ-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2310UTQ-7-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventář:
2963 Ks Nový Originál Skladem
12987631
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2310UTQ-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
38 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
290mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-523
Balení / pouzdro
SOT-523
Základní číslo výrobku
DMN2310
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
31-DMN2310UTQ-7DKR
31-DMN2310UTQ-7TR
31-DMN2310UTQ-7CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN2310UT-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2310UT-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
FQP19N20-T
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
GP2T080A120H
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
TW045N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
