Číslo produktu výrobce:
DMN2400UFB4-7B
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN2400UFB4-7B-DG
Popis:
MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventář:
12949347
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN2400UFB4-7B Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
750mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
550mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
36 pF @ 16 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
470mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
X2-DFN1006-3
Balení / pouzdro
3-XFDFN
Základní číslo výrobku
DMN2400
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN2400UFB4-7BDI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN2400UFB4-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
58133
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2400UFB4-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN2450UFB4-7B
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
18897
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN2450UFB4-7B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP1007UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
DI9435T
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
DMP6110SVTQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
