Číslo produktu výrobce:

DMN3035LWN-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN3035LWN-13-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN

Podrobný popis:

Mosfet Array 5.5A (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8

Inventář:

Poptejte online

12901204

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

DMN3035LWN-13 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole

Výrobce

Diodes Incorporated

Balení

Tape & Reel (TR)

Řada

-

Stav produktu

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurace

2 N-Channel (Dual)

Funkce FET

-

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

399pF @ 15V

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balení / pouzdro

8-PowerVDFN

Balíček zařízení dodavatele

V-DFN3020-8

Základní číslo výrobku

DMN3035

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

DMN3035LWN-13-DG

Další informace

Standardní balíček

10,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

diodes

DMN61D8LVT-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

fairchild-semiconductor

HUFA76504DK8T

MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC

DMT3022UEV-7

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

diodes

BSS8402DWQ-7

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363