DMN3190LDW-13
Číslo produktu výrobce:

DMN3190LDW-13

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMN3190LDW-13-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363

Inventář:

15677 Ks Nový Originál Skladem
12884797
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMN3190LDW-13 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
87pF @ 20V
Výkon - Max
320mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
DMN3190

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN3190LDW-13DI-DG
DMN3190LDW-13DICT
-DMN3190LDW-13DIDKR
-DMN3190LDW-13DICT
DMN3190LDW-13DI
-DMN3190LDW-13DITR
DMN3190LDW-13DIDKR
DMN3190LDW-13DITR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMT3006LPB-13

MOSFET 2N-CH 11A/35A POWERDI50

diodes

DMP3098LSD-13

MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO

diodes

DMN2022UNS-7

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333

diodes

DMN3012LFG-13

MOSFET 2N-CH 30V 20A POWERDI3333