Číslo produktu výrobce:
DMN3190LDW-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN3190LDW-13-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
Inventář:
15677 Ks Nový Originál Skladem
12884797
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
HFvA
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN3190LDW-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
87pF @ 20V
Výkon - Max
320mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
DMN3190
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
DMN3190LDW-13DI-DG
DMN3190LDW-13DICT
-DMN3190LDW-13DIDKR
-DMN3190LDW-13DICT
DMN3190LDW-13DI
-DMN3190LDW-13DITR
DMN3190LDW-13DIDKR
DMN3190LDW-13DITR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT3006LPB-13
MOSFET 2N-CH 11A/35A POWERDI50
DMP3098LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
DMN2022UNS-7
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
