Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
DMN33D8LTQ-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN33D8LTQ-7-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventář:
1800 Ks Nový Originál Skladem
12888517
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
E
O
2
G
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN33D8LTQ-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
48 pF @ 5 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
240mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-523
Balení / pouzdro
SOT-523
Základní číslo výrobku
DMN33
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
DMN33D8LTQ
Technické listy
DMN33D8LTQ-7
HTML Datový list
DMN33D8LTQ-7-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN33D8LTQ-7DI
31-DMN33D8LTQ-7DKR
31-DMN33D8LTQ-7TR
DMN33D8LTQ-7DI-DG
31-DMN33D8LTQ-7CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMN33D8LT-7
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4475
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN33D8LT-7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
PJE138K-AU_R1_000A1
VÝROBCE
Panjit International Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
35112
DiGi ČÍSLO DÍLU
PJE138K-AU_R1_000A1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
DMN33D8LTQ-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN33D8LTQ-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
DMN33D8LT-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2504
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN33D8LT-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.03
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMG3N60SCT
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
DMP3017SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
DMT69M8LFV-7
MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
BSS138K-7
MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K