Číslo produktu výrobce:
DMN65D8LDW-7
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMN65D8LDW-7-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventář:
34033 Ks Nový Originál Skladem
12888929
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMN65D8LDW-7 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
180mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 25V
Výkon - Max
300mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SOT-363
Základní číslo výrobku
DMN65
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
DMN65D8LDW-7DIDKR
DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW-7DICT
DMN65D8LDW7
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
BSS84DW-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
DMP2101UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
