DMS3014SFG-7
Číslo produktu výrobce:

DMS3014SFG-7

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

DMS3014SFG-7-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventář:

15880 Ks Nový Originál Skladem
12900125
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

DMS3014SFG-7 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13mOhm @ 10.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4310 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Ztrátový výkon (max.)
1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
DMS3014

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
DMS3014SFG7
DMS3014SFG-7DICT
DMS3014SFG-7DIDKR
DMS3014SFG-7DITR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN3115UDM-7

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

diodes

DMT3003LFG-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252