Číslo produktu výrobce:
DMT6010SCT
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMT6010SCT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
47 Ks Nový Originál Skladem
12882211
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMT6010SCT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
98A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1940 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.3W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
DMT6010
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
DMT6010SCTDI-5
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTP120N075T2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
44
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP120N075T2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.69
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FDP070AN06A0
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
767
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDP070AN06A0-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.09
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
DMN62D0UT-7
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMNH6042SPD-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
