Číslo produktu výrobce:
DMTH10H025LPS-13
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMTH10H025LPS-13-DG
Popis:
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 9.3A (Ta), 45A (Tc) 3.2W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventář:
12895562
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
tDTf
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMTH10H025LPS-13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.3A (Ta), 45A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
23mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1477 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.2W (Ta), 79W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerDI5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
DMTH10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
DMTH10H025LPS-13DI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMTH10H025LPSQ-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2500
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH10H025LPSQ-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.31
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
DMTH6010SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMN65D8LFB-7
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
TSM120N06LCS RLG
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
