Číslo produktu výrobce:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
DMWS120H100SM4-DG
Popis:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventář:
2 Ks Nový Originál Skladem
13001177
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DMWS120H100SM4 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
15V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
VGS (Max)
+19V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-4
Balení / pouzdro
TO-247-4
Základní číslo výrobku
DMWS120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
31-DMWS120H100SM4
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
